- Xiaomi представила открытую нейросеть... (2669)
- Blue Origin отменила запуск New... (2822)
- Samsung выводит на рынок энергоэффективную... (7517)
- «В течение 2026 года и дальше» — Micron... (2973)
- Nvidia выпустила драйвер GeForce 591.59 с... (2581)
- Довольно необычный задник. Realme 16 Pro+... (3604)
- Nvidia выпустила драйвер GeForce 591.59 с... (2430)
- Учёные создали камеру для наблюдения за... (2624)
- «Пора взглянуть правде в глаза. ИИ с нами... (3138)
- Xiaomi представила глобальные версии... (2576)
- Xiaomi представила глобальные версии... (2745)
- Google объединилась с M**a, чтобы ударить по... (3381)
- Xiaomi представила глобальную версию... (2092)
- Xiaomi представила глобальную версию... (2194)
- В Steam стартовала закрытая «альфа»... (3075)
- Казахстан, Белоруссия и США лидируют:... (2648)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...