- Состоялся релиз российской ОС «МСВСфера»... (4133)
- 400 тонн переработанного урана в... (3557)
- Джаред Айзекман утверждён главой... (3082)
- ИИ ускорил моделирование термоядерной плазмы... (3097)
- Похоже, Apple тестирует MacBook с немолодой... (3447)
- Акции китайского производителя чипов MetaX... (2442)
- Производитель лидаров Luminar объявил о... (2868)
- «Начало новой эпохи цифрового футбола»:... (2816)
- Россияне стали меньше тратить на iPhone —... (3003)
- Продажи Hogwarts Legacy превысили 40 млн... (2936)
- Новый термоядерный стелларатор Helios... (2987)
- Россияне массово жалуются на навязывание... (3144)
- Samsung начнёт выпускать чипы для Intel по... (4445)
- SETI смещает фокус с обитаемости на... (2979)
- Тодд Говард подтвердил, что Fallout 5 будет... (4177)
- LIGO и Virgo зафиксировали возможную первую... (2960)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...