- Apple научила ИИ строить 3D-сцены по одному... (2389)
- Россиян лишили возможности самостоятельно... (3062)
- Марсоход NASA Perseverance готов к... (2624)
- Создатель Stardew Valley заинтриговал... (3458)
- «Билайн» запустил «план б.» с доступом к... (4113)
- Intel Arc B580 легко справляется с GeForce... (3066)
- Самый дорогой iPhone может стать самым... (3702)
- В России смягчили требования к отечественным... (2573)
- Такими будут процессоры Intel Core Ultra 400... (3101)
- M**a заработала миллиарды на рекламе... (3916)
- Вдохновлённая Disco Elysium ролевая игра Rue... (3584)
- Поисковой рекламы в App Store станет больше,... (3685)
- Xiaomi 17 Ultra с новейшей оптикой Leica и... (3320)
- Либо движение в сторону ИИ, либо увольнение?... (2521)
- Киндер-сюрприз для миллиардера: в России... (2249)
- Nvidia занимает почти 72%, а у AMD менее 6%.... (2863)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...