- TSMC готова наладить выпуск 3-нм чипов в... (3060)
- Honor вслед за Xiaomi повышает цены из-за... (2421)
- 10 000 мА·ч ,100 Вт по проводу и 80 Вт без... (3056)
- Xiaomi 17 Ultra с новейшей оптикой Leica и... (3508)
- OpenAI готовится привлечь до $100 млрд,... (2736)
- Дефицит памяти разогнал Micron — квартальный... (2678)
- Оптимистичный прогноз Micron по выручке... (2884)
- Трансляции кинопремии «Оскар» официально... (3391)
- Платформа YouTube получила эксклюзивные... (3286)
- Вышла Gemini 3 Flash — новая базовая модель... (4305)
- Google раскрыла уязвимость Windows 11 —... (4095)
- Sapphire выпустит Radeon RX 9070 XT Nitro+... (2785)
- Состоялся релиз российской ОС «МСВСфера»... (4160)
- 400 тонн переработанного урана в... (3578)
- Джаред Айзекман утверждён главой... (3109)
- ИИ ускорил моделирование термоядерной плазмы... (3123)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...