- Продажи Hogwarts Legacy превысили 40 млн... (2964)
- Новый термоядерный стелларатор Helios... (3010)
- Россияне массово жалуются на навязывание... (3177)
- Samsung начнёт выпускать чипы для Intel по... (4481)
- SETI смещает фокус с обитаемости на... (3004)
- Тодд Говард подтвердил, что Fallout 5 будет... (4196)
- LIGO и Virgo зафиксировали возможную первую... (2985)
- Бывшие инженеры ASML тайно построили в Китае... (3084)
- Более 10 000 мАч, поддержка стилуса и экран... (4409)
- 7400 мАч, IP69K и Snapdragon 8 Gen 5.... (4006)
- Первые ноутбуки с процессорами Intel Core... (3089)
- Французский атомный подводный крейсер De... (3533)
- В США создали мягкий робо-захват, который... (3233)
- Ryzen 7 9850X3D приближается — процессор с... (3251)
- Intel показала путь к посткремниевым... (2843)
- Из Just Cause 3 наконец удалили Denuvo, хотя... (2825)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...