- «Нам повезло быть одними из первых»:... (3496)
- В Европе представили невероятный квантовый... (3644)
- Полиция в США начала использовать ИИ для... (3552)
- Перекупщики взвинтили цены на DDR5 —... (3271)
- Генеративный Микки Маус грядёт: Sora сможет... (3809)
- Марсианские условия деформируют бактерии:... (3511)
- Электромобили оказались не опаснее для... (3009)
- Космос без ядовитого топлива: «зелёный»... (3176)
- Мировой рынок полупроводников разогнался до... (2886)
- Теперь за деньги: Opera открыла доступ к... (2745)
- Google запустила Gemini в Chrome для iPhone... (3211)
- Фанаты решили, что Bethesda спрятала сроки... (3383)
- Huawei представила глобальную версию тонкого... (3353)
- Журнал Time назвал «Человеком года» Хуанга,... (3087)
- Ayaneo показала Pocket Play —... (3664)
- «Москвич» массово списывает машины: завод... (2843)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...