- Intel собралась купить молодого разработчика... (3943)
- F******k стал похож на I*******m — M**a... (5539)
- Cyberpunk 2077 исполнилось пять лет — CD... (5500)
- AMD наносит ответный удар по Nvidia DLSS.... (5335)
- У этого ПК-корпуса огромный 14-дюймовый... (5477)
- Этим старым процессорам AMD под новыми... (6074)
- Pantum представила в России лазерные МФУ... (3938)
- Внутри самого маленького мини-ПК с RTX 5060... (3788)
- «Яндекс Переводчик» освоил мансийский,... (3781)
- Открыта древнейшая сверхновая в истории... (4838)
- Samsung Galaxy S26 не получит ни одной новой... (3613)
- Роскошный седан и мощный гибрид Voyah,... (5334)
- Google решила вообще ничего не менять в... (5107)
- Внезапный сбой после 10 лет: NASA потеряло... (5851)
- Внезапный сбой после 10 лет: NASA потеряло... (5303)
- Это была первая в мире геймерская мышка.... (3798)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...