- Razer переиздала культовую мышь Boomslang —... (4239)
- Спорт-пакет, 261 л.с., 6,6 секунды до... (5427)
- В домене .рф теперь можно регистрировать... (5571)
- AMD выпустила ответ DLSS 4 — вышел драйвер с... (5421)
- «Мы можем ошибиться»: Сэм Альтман признал,... (4113)
- В Госдуме призвали «немедленно, в скорейшие... (5675)
- Omdia: капитальные затраты на ЦОД вырастут... (4098)
- В Rutube теперь можно направлять зрителей из... (5611)
- В «Google Фото» появились новые инструменты... (3772)
- В Россию едет «дикий» Ford Bronco Raptor... (3939)
- Подписчица HBO Max подала в суд на Netflix,... (5700)
- Adobe интегрировала Photoshop, Acrobat и... (3974)
- Intel ещё сильнее скостила рекордный штраф... (4420)
- Intel ещё сильнее скостила рекордный штрафа... (4192)
- Новая Lada Vesta Sport выйдет только в 2026... (5568)
- В России выписан первый штраф за поиск... (3932)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...