- Windows 11 теперь прямо пишет, что 8 ГБ... (2851)
- «Новый DeepSeek-момент»: первый в мире... (2596)
- Марк Цукерберг лично развозил домашний суп... (3721)
- Банк России не будет создавать отдельное... (2948)
- Intel рассчитывает укрепить свои позиции на... (3195)
- Inte рассчитывает укрепить свои позиции на... (3124)
- Канадцы нагрели Германию: смелый... (2941)
- Philips показала монитор с частотой до 1000... (3138)
- Еврокомиссия оштрафовала X Илона Маска на... (3400)
- 17-летний японец посредством вайб-кодинга... (3429)
- Может ли это быть началом китайской Nvidia?... (2785)
- Новая функция Windows 11 делает обновления... (3178)
- В кратере Езеро нашли следы древних... (3137)
- Впервые за 30 лет Microsoft радикально... (3101)
- Впервые за всю историю МКС все 8 стыковочных... (3469)
- Это действительно полезная новая функция... (2748)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...