- В кратере Езеро нашли следы древних... (3139)
- Впервые за 30 лет Microsoft радикально... (3103)
- Впервые за всю историю МКС все 8 стыковочных... (3471)
- Это действительно полезная новая функция... (2749)
- Системные платы Gigabyte Z890 уже готовы к... (2531)
- Новый конкурент для RTX 5060 Ti? Intel... (3210)
- Физики научились «расклеивать» левитирующие... (3390)
- Ноутбук на замену настольному ПК. Tuxedo... (3933)
- Новый «глаз человечества» готов. NASA... (2894)
- Бактерии вместо бетономешалки: учёные... (2713)
- Марс не был пустыней: учёные впервые описали... (2948)
- Суд запретил Google заключать многолетние... (2477)
- В США при загадочных обстоятельствах исчез... (3306)
- ИИ-серверы HPE стали хуже продаваться, но... (2601)
- Подготовка миссии Artemis 2 к Луне... (3539)
- «Хаббл» прислал первое за четыре месяца... (2529)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...