- «Так не хочется, чтобы эта игра... (2573)
- Дефицит DRAM ударил по Raspberry Pi 5 —... (3074)
- Цельнометаллический корпус, масса менее 1... (2939)
- Акции Intel подскочили на 10 % после слухов... (3039)
- Microsoft признала, что ИИ-агенты... (2648)
- Взлетевшие цены DDR5 обрушили продажи... (2685)
- Кристаллы Сваровски, американский бренд и... (2835)
- Грандиозное возвращение мастера скрытности... (3334)
- «Это большая сделка»: Nvidia вложила $2 млрд... (3128)
- Ситуация с ОЗУ будет ещё хуже. TeamGroup... (3221)
- Это батарейки типа АА и ААА с портом USB-C... (3426)
- Аниматор Rockstar с 25-летним стажем... (2694)
- Дела у Intel резко пошли вверх? Компания уже... (3033)
- Nvidia готовится заранее. Компания стала... (2962)
- Asus рассказала, когда представит ноутбуки... (2986)
- В первый день зимы биткоин упал ниже $85 000... (3626)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...