- Японский ответ Rolls-Royce: представлен... (3027)
- Новая статья: Обзор смартфона IQOO 15:... (3934)
- Новая статья: Обзор и тест процессорного... (3661)
- Китайский корабль «Шэньчжоу-20» вернётся на... (3154)
- AMD и Intel символически нарастили долю на... (3299)
- На Солнце сформировался самый крупный... (3091)
- TeamGroup предупредила: дефицит DRAM и NAND... (3683)
- Мотоциклы Minsk всем хорошо известны —... (3951)
- Пятый запуск «Чанчжэн-7А» за год: Китай... (2611)
- Honda вышла в космос: автогигант... (3192)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS извергает... (3451)
- В России автомобили Porsche стали массово... (2715)
- GeForce RTX 5090 Laptop, 64 ГБ ОЗУ и... (2710)
- Настольная ностальгия: Sega выпустила... (2923)
- У SoC MediaTek Dimensity 9600 будет кое-что... (3059)
- «Голос игроков»: на сайте The Game Awards... (3199)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...