- OLED 1,5K 165 Гц с очень тонкой рамкой, 7300... (2859)
- Ускорители вычислений Baidu имеют все шансы... (3817)
- iPhone 17 Pro Max с плавающими окнами,... (3883)
- iPhone 17 Pro Max «превратили» в Mac с... (2808)
- iPhone 17 Pro Max с плавающими окнами и... (3261)
- По цене смартфона: в РФ нашли редкий ЗАЗ-968... (3359)
- Такую Lada Niva Sport еще не показывали.... (3530)
- SK hynix запустит тотальное расширение... (2795)
- SK hynix будет использовать все возможности,... (3064)
- Китайский предприниматель сколотил состояние... (4401)
- Оперативная память — новое золото: в США... (3389)
- «Вилла на колесах». Buick представит... (3098)
- Китайский оператор раскрыл характеристики... (3787)
- Honor готовит Play 60A: раскрыты ключевые... (2848)
- ВВС США одобрили проект SpaceX: площадка... (3010)
- Мощь Snapdragon 8 Gen 5, перископная камера... (3366)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...