- AMD готовит нового игрового короля. Ryzen 7... (3024)
- «Роскосмос» опроверг слухи о прекращении... (4146)
- Кооперативное приключение Split Fiction... (3452)
- Сборник хорроров Layers of Fear: The Final... (3625)
- Траектория кометы 3I/ATLAS уточнена в 10 раз... (3330)
- На смартфонах Huawei Mate 80 и Huawei Mate... (3332)
- Аккумулятор 8300 мАч, 100 Вт, 165 Гц, первый... (3231)
- Аккумулятор 8300 мАч, 100 Вт, 165 Гц, первый... (3256)
- В Кремниевой долине выбирают эмбрионы с... (3494)
- Двухметровая Motorola V70, которая работает... (3519)
- «Увеличенная копия мечты». Создана... (3985)
- Инвесторы не спешат пугаться ИИ-пузыря —... (3193)
- Инвесторы пока не боятся вкладывать деньги в... (3783)
- Не космические ракеты, а какие-то... (3532)
- Клуб 30+: ракеты Falcon 9 превращаются в... (3716)
- Здесь планируют собирать тысячу Starship в... (3079)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...