- Micron инвестирует $9,6 млрд в завод по... (3854)
- Новая статья: Goodnight Universe —... (3097)
- Новая статья: Gamesblender № 754: кризис на... (4430)
- Глава Figure AI попытался доказать, что... (3028)
- «Волга» ГАЗ-31105 с пробегом в 500 км за 1,1... (3245)
- Получилось ли у Microsoft ускорить... (2871)
- В Китае построят крупнейшее в мире хранилище... (3458)
- Чтобы лучше реагировать на требования Apple.... (3184)
- Первый в мире частный научный спутник... (3353)
- Samsung представила «Воскресший» внешний... (3623)
- У «Яндекса» сломалась «Алиса» — ИИ-помощник... (3021)
- OpenAI нужны будут сотни миллиардов долларов... (3187)
- Телескоп Fermi обнаружил возможные следы... (3378)
- Одна новая видеокарта с 48 ГБ памяти и две... (4194)
- С этой компании когда-то началась эпоха... (3157)
- Главы технологических компаний наперебой... (3380)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...