- Qualcomm «убила» Arduino — теперь это не... (5581)
- Даже ведущий разработчик Vampire: The... (4747)
- «У ВАЗа сейчас такое состояние, что не до... (4327)
- Оперативная память подорожала настолько, что... (4111)
- Автомобили Mazda с гарантией 3 года или 100... (4501)
- MSI выпустила игровой монитор MAG 274QPF X32... (3059)
- Подорожание видеокарт неотвратимо: AMD... (4805)
- Дископанковый шутер RetroSpace в духе System... (4110)
- На китайском чёрном рынке начали торговать... (4169)
- M**a «похоронила» исследование о вреде... (4513)
- «Вот и поиграли»: российский MMO-шутер... (3178)
- «Яндекс» запустил роботизированную доставку... (3664)
- Белая видеокарта начального класса. Leadtek... (3766)
- Lenovo постарается не поднимать цены на свои... (3128)
- Apple в первом же своём складном смартфоне... (4632)
- В Москве все городские больницы перевели на... (3163)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...