- На каждые 10 проданных процессоров AMD... (4788)
- 4000 долларов за эту RTX 5090 явно не... (4810)
- Пользователи побежали с Windows 10 на Linux.... (5085)
- Apple перекрыла один из главных каналов... (5769)
- Steam Machine дешёвой не будет: Valve не... (4277)
- Научно-фантастическое выживание StarRupture... (4268)
- Дешевле купить PS5: из-за дефицита комплект... (4603)
- Джони Айв и Сэм Альтман создали прототип... (4371)
- Qualcomm «убила» Arduino — теперь это не... (5593)
- Даже ведущий разработчик Vampire: The... (4749)
- «У ВАЗа сейчас такое состояние, что не до... (4331)
- Оперативная память подорожала настолько, что... (4113)
- Автомобили Mazda с гарантией 3 года или 100... (4505)
- MSI выпустила игровой монитор MAG 274QPF X32... (3061)
- Подорожание видеокарт неотвратимо: AMD... (4807)
- Дископанковый шутер RetroSpace в духе System... (4112)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...