- Изогнутые экраны — всё. Серия Huawei Mate 80... (3475)
- Технологии тысячеядерного RISC-V-ускорителя... (3852)
- Горизонтально-оппозитный мотор, который... (3475)
- Intel может приложить руку к будущим... (3558)
- Представлен Portronics Revvo — внешний... (3588)
- В Белоруссии ввели особые условия на покупку... (3242)
- Огромный аккумулятор 7000 мАч, экран 120 Гц,... (3876)
- Необычный корпус-кубик для ПК с... (3370)
- В iOS 27 компания Apple сконцентрируется на... (3990)
- Более 10 кВт мгновенной мощности и крутящий... (3477)
- Какая термопаста самая лучшая. Большой обзор... (3315)
- Xiaomi 17 и Xiaomi 17 Ultra готовятся к... (3736)
- iPhone Air оказался мало кому нужен: продажи... (4098)
- Огромная батарея и полноценная защита от... (3210)
- Амбициозный шутер Ferocious отправит игроков... (3510)
- Китай подключил второй энергоблок АЭС... (4094)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...