- Поток плазмы из корональной дыры дошёл до... (3435)
- Первый в мире смартфон на Snapdragon 8 Gen... (3658)
- Скоро переход на Gemini станет... (4008)
- PLDT оснастит базовые станции роборуками и... (4287)
- УАЗ не будет выпускать топовые «Буханки» до... (3486)
- Новое поколение народного... (3382)
- Флагманская камера 200 Мп, 8000 мАч, 80 Вт,... (4235)
- Изогнутые экраны — всё. Серия Huawei Mate 80... (3483)
- Технологии тысячеядерного RISC-V-ускорителя... (3860)
- Горизонтально-оппозитный мотор, который... (3481)
- Intel может приложить руку к будущим... (3560)
- Представлен Portronics Revvo — внешний... (3591)
- В Белоруссии ввели особые условия на покупку... (3249)
- Огромный аккумулятор 7000 мАч, экран 120 Гц,... (3881)
- Необычный корпус-кубик для ПК с... (3374)
- В iOS 27 компания Apple сконцентрируется на... (3995)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...