- Первый пациент Neuralink рассчитывает... (3094)
- Новый Toyota Hilux уже представлен, но... (3371)
- Ноябрьский патч для Galaxy S25, Galaxy S25... (4516)
- SpaceX не отчаивается: несмотря на то, что... (4606)
- Новый Hyundai Tucson станет «кирпичом на... (3304)
- Новая статья: The Outer Worlds 2 — галактика... (4671)
- Hyundai показала, как выглядит свобода.... (3317)
- Популярный седан Kia K5 оказался проблемным:... (3014)
- Премиум-бренд Hyundai представил роскошный... (5082)
- Обнаружены кандидаты в самые первые звёзды... (4524)
- Гуманоидные роботы стартапа Figure AI могут... (4471)
- Intel действительно смогла создать... (3194)
- Rocket Lab выполнила 18-й успешный запуск в... (4714)
- Изотопный анализ раскрыл происхождение Тейи:... (3255)
- Это уникальный ноутбук с дискретным NPU... (4646)
- Земной мох девять месяцев провёл в открытом... (2932)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...