- Американский стартап Valar Atomics впервые... (4385)
- Самый быстрый суперкомпьютер в мире El... (4138)
- IBM и Cisco объединяют усилия для создания... (2363)
- В этом скафандре американцы вернутся на... (4290)
- Mercedes-GLB 2026 показали на фото: новый... (2744)
- Теперь любой ПК можно «превратить» в... (2955)
- 8000 мА·ч с автономностью 4,5 месяца, две... (2999)
- Всего 18 долларов и потребление 4,5 ватта:... (2931)
- В уведомлениях Gmail на Android появился... (3229)
- Blue Origin собрала лунный посадочный модуль... (2417)
- Microsoft сломала, Nvidia починила. Компания... (2305)
- 24-ядерный Intel Core Ultra 9 285HX, до 256... (2552)
- Не ждите новую память LPDDR6 в смартфонах... (3169)
- Производители ПК начали экономить на... (2750)
- Nothing начала обновлять смартфоны до... (2600)
- В России за 600 тыс. рублей продают редкую... (3143)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...