- IP68/69/69K, 24 ГБ ОЗУ, 7200 мАч, 120 Гц,... (1317)
- Samsung завалит рынок гаджетами с ИИ: в этом... (1516)
- Samsung начала 2026 с повышения цен:... (1528)
- 7600 мАч, IP68/69, 200 Мп с OIS, Snapdragon... (1283)
- Твердотельные батареи в реальных... (1682)
- После шести лет перерыва Audi вернула себе... (1250)
- Rockstar «достаточно уверена», что GTA VI... (1630)
- Starlink вместо раций: полиция... (1480)
- Одни из крупнейших сооружений в мире. SpaceX... (1404)
- Новейшие Bentley Bentayga могут загореться... (1630)
- Представлен Zeekr 8X с (1720)
- Игровой контроллер для iPhone и Android.... (1421)
- Wi-Fi 7 роутер с 2,5G-портами и скоростью... (1639)
- Один из самых надёжных автомобилей в мире... (1360)
- Samsung представила 130-дюймовый телевизор... (1401)
- Российские космонавты установят на МКС... (1304)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...