- «Энтузиасты» заставили хомяков заряжать... (2623)
- И снова без помощи Nvidia. Энтузиасты... (2433)
- iPhone 18 Pro и iPhone 18 Pro Max заряжаются... (2604)
- Конкурент белорусскому Belgee X50+. В России... (2473)
- Больше $800 за экран: Huawei назвала цены... (2761)
- Midea показала на IFA 2026 умный дом с ИИ,... (2656)
- Visa, Mastercard и Ant создадут единый... (2687)
- Ubisoft наконец перестанет принуждать... (2869)
- Россия лидирует по количеству утечек баз... (2692)
- Claude сам взломал чужую систему и добыл... (2719)
- Российский телескоп «Спектр-М» сможет... (2753)
- «Сбер» представил GigaChat 3.5 Reasoning —... (2826)
- Anthropic открыла властям ЕС доступ к модели... (3381)
- Max усилил защиту от мошенников: ИИ будет... (2766)
- Российские беспилотники научились... (2730)
- Рабочая станция HP ZGX Fury AI на базе... (2851)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...