- Snapdragon X2 Elite Extreme будет первой... (1461)
- 192 Гбит/с и 480 Вт по одному кабелю: в... (1405)
- Геймерский 171-дюймовый монитор на носу:... (1307)
- Не только 9000 мАч: OnePlus Turbo 6 сможет... (1245)
- 120 Гц, 7000 мАч, быстрая зарядка, режим... (1165)
- MSI представила геймерский монитор MPG... (1393)
- Аккумулятор на 7000 мАч, быстрая зарядка 80... (1149)
- Авторы скоростного шутера Bright Memory:... (1158)
- Samsung Galaxy S26, Galaxy S26 Plus и Galaxy... (1162)
- Американская икона с V8: в России продают... (1278)
- Citroen C5 X и Peugeot 5008 подорожали в... (1213)
- Хакеры опять взломали Rainbow Six Siege и... (1350)
- Брат-близнец Geely Tugella. В России подняли... (1298)
- Новейший Honor Win с аккумулятором 10 000... (1241)
- Бюджетный монстр автономности: Oppo A6s... (1600)
- Самый быстрый в мире поезд CR450 пройдёт... (1210)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...