- Репортаж со стенда Ninkear на IFA 2026:... (2205)
- Motorola анонсировала новый смартфон и... (2486)
- Хакеры вооружились Word и Excel — документы... (2010)
- TSMC ускорила переход на 1,4 нм — массовый... (2352)
- Selectel проведёт юбилейную флагманскую... (2004)
- Samsung на заметку: iPhone Duo получит... (2284)
- Полностью отечественный Superjet хотят... (2316)
- Не просто смартфон: iPhone Duo может... (2294)
- TSMC забрала 72,5 % рынка, а SMIC наступает... (2197)
- Apple уходит от ответа на прямой вопрос... (2254)
- Серийный охотник за уязвимостями раскрыл... (2508)
- iPhone Duo сразу опередил Samsung Galaxy Z... (2406)
- ИИ-бум кормит: августовская выручка TSMC... (2487)
- Магнитный экран? В фотокомплект Vivo X500... (2476)
- У новых iPhone такого нет: в фотокомплект... (2584)
- «Космическая станция» Anker с поддержкой... (2591)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...