- Первый пошел? «Китайский УАЗ» BAW 212... (2901)
- Основатели Fireflies.ai целый год выдавали... (3408)
- «Земля уходит из-под ног» — производителей... (2646)
- Sony представила 27-дюймовый монитор для PS5... (2446)
- Не Suzuki, а Suzutec. Владельцам японских... (4281)
- Caviar представила тройку золотых iPhone 17... (2541)
- Планшеты снова не в моде: мировые поставки... (2522)
- Китай заявил о прорыве в атомном судоходстве... (2207)
- В сервисе «VK Видео» обновился кабинет... (2838)
- ИИ-модель Nano Banana подключилась к «Google... (2399)
- «Взломали пространство и время»: CD Projekt... (2194)
- Европейцы снова получат урезанный и менее... (3099)
- Компактная рабочая станция Minisforum MS-R1... (2539)
- Ведущие разработчики ИИ продолжают... (2913)
- ChatGPT не имел права цитировать немецкие... (2524)
- «Роскосмос» предложил всем желающим... (2516)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...