- Белорусский кроссовер Belgee X70 — самый... (2361)
- Утечка подтвердила научно-фантастический... (2360)
- У Grok и GPT-4o лучше не искать... (3026)
- Аналог Toyota Alphard, только гораздо... (2375)
- Самый дешёвый, но не самый оптимальный.... (2801)
- МТС максимально ускорит отключение 3G-сетей... (3429)
- Представлен Ryzen 5 7500X3D. Это самый... (3266)
- «Рольф» привез в Россию Hyundai Sonata... (2604)
- Китайская мастерица спасает видеокарты.... (2934)
- Яндекс запустил ИИ-помощника для работы с... (2627)
- Google ответит в суде за тайную слежку за... (3960)
- Роскошный Voyah Taishan представят в России... (3441)
- Банк России тестирует ИИ-сервис для выбора... (2970)
- У этой док-станции четыре порта Thunderbolt,... (2511)
- Один из этих мониторов имеет даже ручку для... (2919)
- Их топят, роняют и разбивают о стену: Honor... (3507)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...