- SoftBank уходит из Nvidia, чтобы удвоить... (4607)
- LADA Iskra получила цифровую панель... (3477)
- В 2ГИС появилась стоимость проезда на... (4408)
- Быстрому появлению сверхмассивных чёрных дыр... (4324)
- «Случилось невообразимое»: спустя всего пять... (3337)
- Недорогой Ryzen 5 7500F против ещё более... (4525)
- RTX 5090 в кармане. Представлен Thunderobot... (3870)
- Huawei стала больше зарабатывать на... (3009)
- Журналисты показали, как выглядит версия... (5368)
- Apple выпустила авоську для iPhone за... (4225)
- Обязательная маркировка не избавила россиян... (4752)
- Обязательная маркировка не избавила россиян... (3293)
- Главный конкурент намерен обогнать OpenAI в... (3421)
- Доступны 2G и 4G: в России установили 1000-ю... (4831)
- Jetour X70 Plus 2025 подорожал в России:... (3291)
- Солнце разошлось не на шутку: в течение... (3246)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...