- Таких вспышек в сторону Земли не было уже... (5889)
- За пять лет Sony продала больше PlayStation... (3284)
- За пять лет Sony продала больше PlayStation... (3008)
- Nextorage представила быстрый внешний SSD с... (3883)
- В России представили полноприводный... (4459)
- 100 дюймов, 144 Гц, 4K, 60-ваттная звуковая... (4196)
- Его раскупали даже без полного привода, а... (3113)
- Пятиметровый кузов с большой колёсной базой,... (5004)
- Рост цен на SSD может быть катастрофическим.... (3247)
- Электронная книга в формате смартфона с 4G и... (3395)
- Учёные отделили память ИИ от его способности... (3323)
- Запуск Arc Raiders стал лучшим в истории... (3527)
- Учёные отделили память ИИ от его способности... (4505)
- Сбер рекомендует поторопиться: в App Store... (4486)
- Galaxy S26 Ultra будет заряжаться на 40%... (3678)
- Китайская компания Insta360 уже несколько... (3893)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...