- Asus выпустила самый быстрый игровой... (3384)
- SpaceX предлагает быстро доставить... (2474)
- Google предупредила о попытках... (2766)
- Microsoft признала, что контекстное меню... (3680)
- Минюст США одобрил крупнейшую сделку... (2711)
- Titan Quest 2 скоро подорожает, и это только... (2883)
- Microsoft подтвердила существование версии... (3605)
- M**a запустит в WhatsApp систему раннего... (3823)
- Вдохновлённый S.T.A.L.K.E.R. кооперативный... (2990)
- YouTube полностью перестал работать у... (2839)
- BioWare отпраздновала день N7 обещанием, что... (3021)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS показалась из-за... (3587)
- Microsoft лишила «Связь с телефоном» функции... (3058)
- «Думал, не доживу до этого момента»:... (3095)
- Сборная России стала чемпионом турнира стран... (2613)
- Знакомые голоса и ответственность перед... (2756)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...