- «Вайб-кодинг» стал словом года по версии... (3809)
- Microsoft представила амбициозную концепцию... (3827)
- Предстоящее сокращение сотрудничества... (3589)
- Известный инсайдер Ice Universe показал... (2507)
- Представлен Toyota 4Runner (2530)
- Японский ответ G-Class: в США представили... (3080)
- BYD всерьез берется за водоплавающие... (2781)
- К Земле направляется мощный выброс солнечной... (2808)
- Samsung Galaxy A17 5G неожиданно опередил... (3216)
- Первый запуск Starship V3 может состояться в... (3181)
- Google наконец разрешила Gemini рыться в... (4711)
- Xpeng готовит трио роботакси с фирменным... (3210)
- Большая линейка новинок Intel будет поделена... (3089)
- В восьмилитровом корпусе уместился топовый... (3559)
- «Теперь и поиграть можно»: в Titan Quest 2... (3181)
- На задворках Вселенной рекордно полыхнуло —... (5038)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...