- В России определили угрозы устойчивости и... (3395)
- Учёные открыли лёд XXI — неизвестную ранее... (3466)
- Не было бы счастья: в октябре продажи... (3583)
- Keychron представила беспроводную... (3507)
- OpenAI готова составить конкуренцию Amazon,... (3082)
- Американские бигтехи потеряли почти $1 трлн... (2620)
- Неанонсированный Ryzen 5 7500X3D появился в... (4778)
- Руководитель разработки ИИ-ускорителей Intel... (3012)
- Гендиректор Nvidia попросил TSMC нарастить... (3559)
- На орбите развернули демонстратор... (3395)
- Хакеры использовали Android-шпион Landfall... (2896)
- Казахстан и OpenAI будут сотрудничать в... (3083)
- Asus выпустила самый быстрый игровой... (3374)
- SpaceX предлагает быстро доставить... (2470)
- Google предупредила о попытках... (2761)
- Microsoft признала, что контекстное меню... (3678)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...