- Тогда салоны Geely не понадобятся:... (2435)
- Snapdragon 8 Gen 5, 1,5K, 8000 мА·ч, 100 Вт,... (2196)
- Snapdragon 8 Gen 5, 1,5K, 8000 мА·ч 100 Вт,... (2879)
- «Frostpunk на воде»: анонсирована... (3525)
- Первый смартфон с одноэлементной батареей на... (2541)
- Google присоединилась к гонке за орбитальные... (2715)
- В России стартовали продажи защищённых... (2640)
- Oppo K15 Turbo Pro получит SoC Snapdragon 8... (3293)
- Первый Samsung, который складывается втрое,... (2718)
- SpaceX разворачивает новый комплекс для... (2885)
- Nexperia уведомила клиентов, что понятия не... (2922)
- В России закончились популярные Geely 2025... (2981)
- В 10 триллионов раз ярче Солнца. Черная... (2261)
- ISRO вывела на орбиту самый тяжёлый спутник... (3058)
- Белый дом заявил, что Nvidia не может... (2849)
- Россияне чаще выбирают Keenetic и TP-Link:... (2659)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...