- В России построили Nissan Z с 3,0-литровым... (3208)
- BYD представила минивэн Xia 2026: 272... (2857)
- На Солнце произошла вспышка высочайшего... (2962)
- Биткоин скатился ниже $100 000 впервые с... (2909)
- Дешёвый MacBook с SoC A18 Pro ожидается уже... (2211)
- Microsoft потратит более $60 млрд на аренду... (2974)
- Вышло приложение WhatsApp для смарт-часов... (2244)
- SpaceX запустит «фабшипы» — аппараты для... (3125)
- Huawei представила компьютеры на чипах Kirin... (3005)
- Activision подтвердила окончательные... (2832)
- Оперативная память дорожает быстрее золота —... (2770)
- Kingdom of Night получила новый трейлер и... (2125)
- От -40 до +70 °C: MSI выпустила одноплатный... (2759)
- Nvidia выпустила драйвер с поддержкой Call... (2459)
- Учёные создали мощные мышцы для роботов —... (4259)
- В Steam стартовала долгожданная открытая... (2041)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...