- Kepler Computing придумала, как побороть... (3162)
- До 300 дюймов, Google TV или VIDAA — от 430... (2913)
- Nvidia выпустила драйвер с поддержкой... (3013)
- Amazon добавила ИИ-липсинк в Prime Video... (3145)
- Конец эпохи: спустя пять лет разработки... (2866)
- HKC представила 27-дюймовый игровой монитор... (3157)
- OpenAI GPT-6 Astra оказалась самой этичной и... (2939)
- Google опережает ближайшего конкурента по... (2762)
- NASA ищет технологии для создания лунной... (2862)
- Nintendo выпустит спецверсию Switch 2 в... (2640)
- Телевизоры LG не следят за пользователями:... (2891)
- Легендарный композитор Silent Hill написал... (2443)
- LG отвергла обвинения в слежке за... (2522)
- Слухи: разработчики Forza Horizon 6 скрывают... (2694)
- Стирает, сушит и сама дозирует средство:... (2464)
- Suno договорилась с Warner Music и BMG —... (2514)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...