- Астрономы нашли у миллисекундных пульсаров... (2211)
- ИИ-модели оказались склонны лгать и... (2073)
- Спрос на аренду устаревающих ускорителей... (2306)
- Apple упростила смену региона в аккаунте для... (2032)
- «Яндекс» готовит массовый запуск роботакси и... (2166)
- Apple признала устаревшим ещё один... (1901)
- Мошенники начали маскировать вредоносы под... (2009)
- JEDEC разрешит памяти HBM4E подрасти — ради... (2136)
- Швейцарский стартап превратил б/у... (2010)
- Мир выбирает возобновляемую энергию. На... (2016)
- Чтобы пожароопасный разъём 12v-2x6 был более... (2131)
- TSMC будет производить меньше недорогих... (2227)
- Китайский аналог многоразовой ракеты SpaceX... (2227)
- MacBook Pro на M5 порой может быть почти в... (2219)
- Oracle всё-таки нашла деньги на... (1939)
- Флагман Oppo Find X9 Ultra показался на фото... (1957)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...