- Роторы двигателя ПД-35 стали легче и... (1686)
- Telegram выпустил первое обновление в 2026... (1529)
- Убийца GeForce RTX 5060 от Intel? Будущая... (2077)
- Роботы-бойцы сбили друг друга с ног во время... (1940)
- 7 лет обновлений, тонкий корпус, Snapdragon... (1648)
- Маск анонсировал ещё более огромную ракету... (1817)
- Starlink объявила о запуске бесплатного... (1607)
- В России запатентовали Mercedes-Benz S 600 и... (1775)
- Планшет OSCAL Pad 200 с крупным экраном для... (2376)
- Xiaomi ускоряется: месячные поставки впервые... (2195)
- Poco X7 Pro вырвался в лидеры с большим... (1638)
- 8000 мАч, IP69, Snapdragon 8 Gen 5 и почти... (2265)
- Советская легенда по цене Lada Granta: в... (2072)
- В Норвегии уже почти все новые... (1523)
- Новая статья: Лучшие ИИ-сервисы и приложения... (2351)
- Видеокарта MSI RTX 5090 Lightning будет... (1872)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...