- Индия требует от X ограничить чат-бот Grok... (1634)
- Это настоящая цена производства чипов в США.... (1548)
- «Космическая частица» вывела из строя... (1645)
- Генеративный ИИ на фотонах: Китай показал... (1579)
- Ровные субпиксели и плёнка для глубокого... (1484)
- Регуляторы накинулись на Grok, когда он... (1627)
- Большой адронный коллайдер остановят до 2030... (1555)
- Две совершенно разные новинки Asus. Компания... (1628)
- Не монитор, а целый набор читов. MSI... (1531)
- Lada, сделано в Иране. Российские машины... (1719)
- Президент Honor намекнул на выход Magic 8... (2020)
- ИТ-миллиардеры продали акции на $16 млрд на... (2105)
- Chery отметила Новый год повышением цен на... (2172)
- Экран 1,5K, камера 200 Мп и аккумулятор на... (1702)
- Новейший Poco F8 Ultra вошел в элиту:... (2280)
- Вышел клон игры Flappy Bird для складных... (1659)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...