- BYD выводит на мировой рынок новинку... (4543)
- Space Shuttle за 20 лет не смог сделать то,... (5163)
- Falcon 9 только в 2025 году собирается... (4825)
- В Grok Илона Маска добавили... (3734)
- Tesla поручит Samsung выпуск чипов AI5 сразу... (3665)
- Intel надеется, что процессоры Nova Lake... (3712)
- Маск оценил китайскую ракету Zhuque-3:... (3331)
- Mercedes-Benz разработала электромотор... (3321)
- iPhone Air и Galaxy S25 Edge, похоже,... (4561)
- Продажи iPhone 17 бьют рекорды: за месяц... (3995)
- Белорусские кроссоверы Belgee X50 и X70... (4518)
- Обновленная Lada Niva Travel лишилась... (4466)
- Xbox анонсировала ремейк первой Halo, но без... (5456)
- ИИ-браузер ChatGPT Atlas умеет тайно сливать... (4994)
- Ультразащищенный смартфон с большим... (5408)
- GPU Nvidia H100 отправится в космос на борту... (5867)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...