- Прощальный апдейт: Galaxy S21 FE получил One... (3710)
- «Мы как будто в 1999 году»: инвесторы ищут... (3866)
- Легендарный трюк с ведром из The Elder... (4120)
- Представлен TP-Link Archer GE400 — игровой... (3907)
- Астрономы зафиксировали радиосигналы от... (3385)
- Астрономы зафиксировали радио-сигналы от... (3990)
- Юристы рекомендовали M**a скрыть... (4210)
- Многомиллиардная сделка Google и Anthropic —... (3377)
- «Яндекс Переводчик» освоил бурятский... (3545)
- 200 Мп, Dimensity 8450, IP69, 50-ваттная... (3720)
- За прошедшие месяцы Intel уволила более 20... (5066)
- Королевская битва Battlefield 6 выйдет без... (3659)
- Китай ставит задачу технологической... (3819)
- Intel сталкивается с дефицитом собственных... (4886)
- Исследователи научили ИИ... (3784)
- Менее 1 литра объёма, Thunderbolt 4 и... (4949)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...