- «Intel стала более компактной»: компания... (4187)
- Представлены доказательства существования... (5280)
- Раскритикованная фанатами истинная концовка... (5004)
- Гул под капотом новой «Нивы» оказался... (3406)
- Аналитики «Яндекса» рассказали, насколько... (5038)
- Прощальный апдейт: Galaxy S21 FE получил One... (3716)
- «Мы как будто в 1999 году»: инвесторы ищут... (3873)
- Легендарный трюк с ведром из The Elder... (4127)
- Представлен TP-Link Archer GE400 — игровой... (3914)
- Астрономы зафиксировали радиосигналы от... (3391)
- Астрономы зафиксировали радио-сигналы от... (3999)
- Юристы рекомендовали M**a скрыть... (4220)
- Многомиллиардная сделка Google и Anthropic —... (3385)
- «Яндекс Переводчик» освоил бурятский... (3557)
- 200 Мп, Dimensity 8450, IP69, 50-ваттная... (3731)
- За прошедшие месяцы Intel уволила более 20... (5077)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...