- Видео: новый геймплейный трейлер мрачного... (3915)
- Новый iPad Pro на M5 справляется с Resident... (4011)
- «Выглядит даже слишком хорошо»: игроков... (3829)
- На ПК даже и не похоже. Мини-ПК Ayaneo AM03... (5158)
- Легче, экономичнее и надёжнее. АвтоВАЗ... (5244)
- «Ростелеком» начал установку отечественных... (5457)
- Целая куча разных компьютеров и не только на... (3606)
- Цены на модули DDR4 и DDR5 пошли на взлёт:... (3364)
- Операторы будут блокировать «лишние»... (3840)
- Скоро любой сможет превратить конструктор... (3584)
- «Межзвездный корабль» 3I/ATLAS останется... (3537)
- Обычной памяти DDR5 DIMM такого и не... (4346)
- Субфлагман Intel нового поколения. В Сети... (4983)
- Издатель PUBG, Inzoi и Subnautica 2... (3532)
- Перерождение культовой скрепки Clippy.... (3205)
- EA объединилась со Stability AI для создания... (3384)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...