- Очередная пятилетка Китая сконцентрируется в... (3467)
- Samsung разрешила разблокировку загрузчика... (6432)
- Xiaomi объяснила недовольным покупателям... (3736)
- QuantumScape начала поставлять образцы... (3596)
- AMD начнёт продавать профессиональные Radeon... (4006)
- Китай вплотную подошёл к запуску в космос... (3682)
- Сестра, не знающая милосердия: геймплейный... (5693)
- Запустить 6G в России потенциально проще,... (3666)
- В Китае создали свою замену UEFI/BIOS. UBIOS... (3506)
- Qualcomm представила Snapdragon 6s Gen 4 —... (5411)
- Samsung создаёт уникальный модем Exynos 5G с... (5369)
- ИИ-чипы Google TPU обрели популярность... (5236)
- В России изменились цены на популярный... (3879)
- Apple обдирает разработчиков — так... (5478)
- SoC M5 в новом MacBook Pro чуть холоднее,... (3560)
- Exynos 2600 может быть выпущено слишком... (5283)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...