- Этому процессору уже больше полувека.... (4143)
- Arm-компьютеры с Windows теперь смогут... (5077)
- Asus анонсировала лимитированную TUF Gaming... (4376)
- Xiaomi представила проектор Redmi Projector... (4035)
- Бывший сотрудник OpenAI рассказал, как и... (4091)
- В России — массовые сбои в FaceTime:... (4267)
- Видеокарта для будущих фанатов Call of Duty... (3712)
- Новый король для любителей селфи, тиктокеров... (3737)
- Стартовали предпродажи обновленного Tank... (4751)
- На роботов заменят более 600 000 человек.... (4227)
- TeamGroup представила безбуферные SSD... (3768)
- Starbreeze доверила Payday 2 студии... (3609)
- Калифорния решила стать первым регионом мира... (4733)
- Чтобы не переполнять склады дилеров Lada,... (6268)
- Кооперативный шутер Painkiller поступил в... (4372)
- Для точной привязки использовались... (3717)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...