- AMD готовит новые флагманские процессоры:... (4037)
- Создатели War Thunder анонсировали замену... (3490)
- Amazon собралась заменить 600 000... (4166)
- Совершенно новый Audi Q5 Sportback добрался... (4336)
- «Джеймс Уэбб» подтвердил: GRB 250702B —... (5116)
- С МКС на орбиту выпустили три японских... (4777)
- BMW M440i xDrive снова в России: 374 силы,... (5299)
- Представлен флагман Realme GT 8 Pro с... (3844)
- Австралийские учёные улучшили зрение... (4123)
- В Казахстане будут выпускать дешевый седан... (3586)
- «Алмаз-Антей» возрождает производство на... (5901)
- Представлен смартфон Realme GT8 с 50-Мп... (4312)
- Nvidia по-тихому выпустила версию... (4273)
- В США представили первого полицейского... (4062)
- Теперь стало возможно подключить видеокарту... (6190)
- Cooler Master выпустила кулер V4 Alpha 3DHP... (4313)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...