- Samsung будет разрабатывать и производить... (3616)
- JEDEC объявил о скором завершении разработки... (3855)
- Крупнейшее в мире полностью электрическое... (4143)
- Каршеринг BelkaCar начал масштабное... (4544)
- Произведено в США, да только не полностью.... (4486)
- Илон Маск пригрозил покинуть пост... (4488)
- В России переписали цены на флагманский... (12468)
- LG представила громадный 136-дюймовый... (4667)
- Мировые продажи полупроводников достигнут $1... (4563)
- Huawei показала роутер, который больше похож... (4093)
- Galaxy S26 может оказаться быстрее iPhone 17... (3903)
- Процессор Exynos 2600 для Galaxy S26 будет... (5657)
- Вместо U-образной тепловой трубки теперь... (4018)
- 7000 мАч, 100 Вт, IP69, 50-мегапиксельная... (4020)
- Официальный сайт Xubuntu взломали для... (6182)
- Сигналы инопланетян оставим без ответа — IAA... (5538)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...