- 40-летняя «Волга» без пробега, в идеальном... (4024)
- УАЗ прекратил выпуск «Буханок» и... (4742)
- Переход на 2 нм. Samsung скупает установки... (5993)
- Epic Games Store разблокировал игру из новой... (3862)
- Базовый iPhone наконец заинтересовал... (4142)
- Li Auto, Rox и Zeekr, а также зарядные... (4268)
- Миллионы зарядных станций со средней... (5479)
- Миллионы зарядных станций с средней... (4591)
- Самый быстрый в мире поезд CR450 установил... (4709)
- Пугающе похоже на человека: представлен... (4387)
- Changan запустил сборку в России: на... (5431)
- «Заткнись и возьми мои деньги»: моддеры... (5684)
- Единственная в своём классе перископическая... (3976)
- Раскрыты варианты и сроки выхода Huawei Mate... (5880)
- Экран без вырезов, 35-миллиметровая камера,... (5279)
- Летающие автомобили, человекоподобные... (4739)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...