- «Последний шедевр Redmi в этом году». Redmi... (4079)
- Илон Маск оценил стоимость строительства... (5450)
- «От Тинтина до 10 000! Вперёд, Starlink,... (4019)
- Учёные раскритиковали OpenAI за ложный анонс... (4324)
- Инженеры Apple сомневаются, что новая Siri... (4065)
- Инженеры Apple не верят в то, что новая Siri... (4363)
- Инженеры Apple усомнились в готовности новой... (7211)
- Маск подсмотрел у Telegram: неактивные... (4832)
- Неактивные логины в X станут товаром на... (4143)
- Исследование показало, что ИИ ускорил... (3792)
- Alibaba нашла способ сократить потребность в... (3699)
- Haval Jolion, BAIC X7 и ещё восемь моделей:... (4095)
- Кроссовер Chevrolet c 6-ступенчатым... (4385)
- Новая статья: Обзор смартфона Apple iPhone... (4387)
- Новая статья: Обзор Ryzen 5 9500F: самый... (3947)
- Точное измерение массы Z-бозона: новый... (4172)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...