- Новая статья: Ghost of Yotei — месть,... (6879)
- Новая статья: Gamesblender № 748:... (6948)
- К полувековому юбилею суперкомпьютера Cray-1... (4210)
- Дебют сверхмощной конфигурации новой... (4420)
- ЕС обязал производителей оснастить зарядные... (4224)
- Космический аппарат «Вояджер-1» снова войдёт... (7368)
- SpaceX уличили в рейдерском захвате... (4137)
- Boeing передал второй спутник ViaSat-3 для... (4378)
- NASA и Sierra Space меняют акценты: первый... (4266)
- Космические аппараты NASA и ESA получили... (3980)
- Представлен Suzuki Jimny 2026: адаптивный... (3700)
- Спроса нет: брутальный внедорожник GMC... (4047)
- Lexus GX 2026 вышел на рынок США — без новых... (4195)
- Toyota Harrier 2027 пойдет по пути китайцев?... (3948)
- Mitsubishi готовит особо внедорожный... (4221)
- «Китайский Volkswagen» — всего 108 тыс.... (3880)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...