- OpenAI преувеличила достижения GPT-5 в... (4580)
- OpenAI не выпустит GPT-6 до конца 2025... (3832)
- Производство российских грузовиков «Урал»... (6073)
- Белорусские кроссоверы Belgee стали... (3918)
- Вода старше звезды: астрономы впервые... (3843)
- Hyundai готовит конкурента «Гелендвагену»:... (5554)
- Апгрейд камеры Samsung Galaxy S26 всё-таки... (6017)
- Один USB-C для всех. ЕС утвердил новые... (4672)
- Microsoft исправила критическую уязвимость... (3706)
- Microsoft исправила критическую уязвимость... (5583)
- Военные спутники SpaceX передавали данные на... (5275)
- Tank отдыхает. Представлен водоплавающий... (5619)
- «Этот двигатель — больше, чем просто... (5735)
- В Узбекистане начали выпускать обновленный... (4286)
- В Китае представили «самую большую шину в... (5099)
- Космический мусор — теперь под контролем:... (3776)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...