- Разработка Samsung Galaxy S26 Ultra уже... (4434)
- Разработка Samsung Galaxy S26 Ultra уже... (3851)
- Учёные обнаружили в глубоких породах Земли... (4150)
- Робот-пылесос Xiaomi, который распознаёт... (3912)
- Ничего подобного в истории не было и не... (4448)
- Nvidia представила первую полупроводниковую... (4050)
- Starship может сократить время полёта к... (3965)
- «Четыре года упорного труда». Раскрыты все... (3858)
- Toyota поднимает планку: Century становится... (4922)
- Toyota поднимает планку: Century становится... (4330)
- ИИ-бот Google Gemini успешно конкурирует в... (4259)
- Память HBM4 окажется дороже, чем ожидалось,... (4457)
- Asus представила первый мини-ПК ROG NUC с... (4385)
- Рекорд разгона памяти до режима DDR5-13010... (4011)
- Первый складной iPhone может не только... (3728)
- TSMC выпустила для Nvidia первую кремниевую... (4291)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...