- У этой системной платы слот для видеокарты... (5730)
- Органики и древние микробы могут сохраняться... (6529)
- PLATO расправил «крылья»: ESA готовит... (6185)
- Учёные впервые в реальном времени измерили... (5205)
- «Сокрушительно хорош», но не идеален?... (4184)
- Основатель Nvidia лично доставил новейшие... (3818)
- «Starship — это ракета-носитель для... (5977)
- «Starship — это ракета-носитель для... (5064)
- Redmi K90 Pro Max получит три динамика в... (3914)
- Huawei показала ускоритель Atlas 300I Duo на... (3956)
- Ускоритель Huawei Atlas 300I Duo оснащается... (4594)
- Samsung рассчитывает обеспечить скорость... (4385)
- У захваченной Нидерландами Nexperia уже... (5074)
- Google свернула проект Privacy Sandbox после... (5384)
- Отсрочка утильсбора будет для всех, а не... (4413)
- 7000 мАч, 100 Вт, IP69, тройная... (5960)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...